~2010

  • 122. In Kyeong Yoo, Bo Soo Kang, Seung-Eon Ahn, Chang Bum Lee, Myoung Jae Lee, Gyeong-Su. park, Xiang-Shu Li, “Fractal dimension of conducting paths in nickel oxide (NiO) thin films during resistance switching”, IEEE Transactions on nanotechnology., 9. No. 2, March (2010).

    21. Myoung-Jae Lee, Chang Bum Lee, Dongsoo Lee, Seung Ryul Lee, Jihyun Hur, Seung-Eon Ahn, Man Chang,Young-Bae Kim, U-In Chung, Chang-Jung Kim, Dong-Sik Kim, and Hosun Lee, “Improved Resistive Switching Reliability in Graded NiO Multilayer for Resistive Nonvolatile Memory Devices” IEEE Electrons Device Lett., 31, no 7, 725-727, May (2010).

    20. Inrok Hwang, Myung-Jae Lee, Gyoung-Ho Buh, Jieun Bae, Jinsik Choi, Jin-Soo Kim, Sahwan Hong, Yeon Soo Kim, Ik-Su Byun, Seung-Woong Lee, Seung-Eon Ahn, Bo Soo Kang, Sung-Oong Kang, and Bae Ho Park, “Resistive switching transition induced by a voltage pulse in a Pt/NiO/Pt structure” Appl. Phys. Lett. 97, 052106 (2010)

    19. Chunli Liu, S C Chae, J S Lee, S H Chang, S B Lee, D-W Kim, C U Jung, S Seo, S-E Ahn, B Kahng and T W Noh, “Abnormal resistance switching behaviours of NiO thin films: possible occurrence of both formation and rupturing of conducting channels” J Phys D Appl Phys., 42, 015506 (2009)

    18. M. J. Lee, S. Han, S. H. Jeon, B. H. Park, B. S. Kang, S.-E. Ahn, K. H. Kim, C. B. Lee, C. J. Kim, I.-K. Yoo, D. H. Seo, X.-S. Li, J.-B. Park, J.-H. Lee, Y. Park, “Electrical Manipulation of  Nanofilaments in Transition-Metal Oxides for Resistance-Based Memory” Nano lett., 9(4), 1476-1481 (2009).

    17. M. J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, Y. Park, “Low TemperatureGrown Transition Metal Oxide Based Storage Materials and Oxide Transistor for High Density Nonvolatile Memory” Adv. Funct. Mater., 19, 1587-1592 (2009). 


16. Ki Hwan Kim, Bo Soo Kang, Myoung-Jae Lee, Seung-Eon Ahn, Chang Bum Lee, Genrikh Stefanovich, Wen Xu Xianyu, Chang Jung Kim, and Youngsoo Park, “Multilevel Programable Oxide Diode for Cross-Point Memory by Electrical-Pulse-Induced Resistance Change”IEEE Electron Device Lett., 30, no 10, 1036-1038, october (2009).

15. S.-E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, M. J. Lee, I. K. Yoo, H. Hwang, “Stackable all oxide based nonvolatile memory with Al2O3 antifuse and p-CuOx/n-InZnOx diode”, IEEE Electrons Device Lett., 30, no 5, 550-552, May (2009).

14. S.-E. Ahn, M. J. Lee*, Y. Park, B. S. Kang, C. B. Lee, K. H. Kim, S. Seo, D.-S. Suh, D.-C. Kim, J. Hur, W. Xianyu, G. Stefanovich, H. Yin, I.-K. Yoo, J. H. lee, J. B. park, I. G. Baek, B. H. Park “Write current reduction in transition metal oxide based resistance change memory”, Adv. Mater., 20, 924-928 (2008).

13. Jung-Bin Yun, Sejin Kim, Sunae Seo, Myoung-Jae Lee, Dong-Chul Kim, Seung-Eon Ahn, Yongsoo Park, Jiyoung Kim, and Hyunjung Shin, “ Random and localized resistive switching Observation in Pt/NiO/Pt” Phys. Stat. Sol(RRL), 6, 280, 2007.

12. Myoung-Jae Lee, Dong-Seok Suh, Youngsoo Park, Eun-Hong Lee, Sunae Seo, Dong-Chirl Kim, Ranju Jung, Bo-Soo Kang, Seung-Eon Ahn, Chang-Bum Lee, David H. Seo, Young-KwanCha, In-Kyeong Yoo, and Bae Ho Park, “Two series oxide resistors applicable to hogh speed and high density nonvolatile” Adv. mat., 19, 3919, 2007.

11. C. B. Lee, B. S. Kang, M. J. Lee, S. E. Ahn, G. Stefanovich, W. X. Xianyu, K. H. Kim, J. H. Hur, H. X. Yin, Y. Park, and I. K. Yoo, “Electromigration effect of Ni electrodes on the resistive switching characteristics of NiO thin films”, Appl. Phys. Lett. 91, 082104, 2007. 

10. M. J. Lee, Y. Park, B.S. Kang, S. E. Ahn, C. B. Lee, K. H. Kim, W. Xianyu, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, “2-stack 1D-1R Cross-point Structure with Oxide Diodes as Switch Elements for High Density Resistance RAM Applications”, IEDM Tech. Dig., 2007.

9. Seung-Eon Ahn, Hyun Jin Ji, Kanghyun Kim, and Gyu Tae Kim, Chang Hyun Bae and Seung Min Parkb, Yong-Kwan Kim and Jeong Sook Ha, “Origin of the slow photoresponse in an individual sol-gel synthesized ZnO nanowire” Appl. Phys. Lett., 90, 153106, 2007.
8. Myoung-Jae Lee, Sunae Seo, Dong-Chirl Kim, Seung-Eon Ahn, David H. Seo, In-Kyeong Yoo, In-Gyu Baek, Dong-Sik Kim, Ik-Su Byun, Soo-Hong Kim, In-Rok Hwang, Jin-Soo Kim, Sang-Ho Jeon, and Bae Ho Park, “A Low-Temperature-Grown Oxide Diode as a New Switch Element for High-Density, Nonvolatile Memories”, Adv. mat., 19, 73, 2007.

7. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, and I. K. Yoo, I. G. Baek,H.-J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U-In Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, “Electrical observations of filamentary conductions for the resistive memory switching in NiO Films”, Appl. Phys. Lett., 88, 202102, 2006.

6. Chang Hyun Bae, Seung Min Park, Seung-Eon Ahn, Dong-Jin Oh, Gyu Tae Kim, Jeong Sook Ha, “Sol-gel synthesis of sub-50nm ZnO nanowires on pulse laser deposited ZnO thin films”, Appl. Surf. Sci., 253, 1758, 2006.

5. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, and I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U-In Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, “Improvement of resistive memory switching in NiO using IrO2”, Appl. Phys. Lett., 88, 232106, 2006.

4. S. Seo, M. J. Lee, D. C. Kim, S. E. Ahn, B.-H Park, Y. S. Kim, and I. K. Yoo, I. S. Byun, I. R. Hwang, S. H. Kim, J.-S. Kim, J. S. Choi, J. H. Lee, S. H. Jeon, S. H. Hong, and B. H. Park, “Electrode dependence of resistance switching in polycrystalline NiO films”, Appl. Phys. Lett.87, 263507, 2005.

3. Min Gyu Kim, Sun Man Kim, Eun Jip Choi, Seung Eon Moon, Jonghyurk Park, Hyoung Chan Kim, Bae Ho Park, Myoung Jae Lee, Sunae Seo, David H. Seo,  Seung Eon Ahn, In Kyeong Yoo, “Study of Transport and Dielectric of Resistive Memory States in NiO Thin Film”, J. J. Appl.Phys. 44. L1031. 2005.

2. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H. J. Kim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-In Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, “Multi-layer Cross-point Binary Oxide Resistive Memory (OxRRAM) for Post-NAND Storage Application”, IEDM Tech. Dig., 750, 2005.
1. Seung-Eon Ahn, Jong Soo Lee, Hyunsuk Kim, Sangsig Kim, Byung Hyun Kang, Kang Hyun Kim, and Gyu Tae Kim, “Photoresponse of sol-gel-synthesized ZnO nanorods”, Appl. Phys. Lett., 84, 5022, 2004.